수직 타임라인 (반도체 미세공정 로드맵)

Backend#

• COM (라이브 PowerPoint via hyve-office.exe).

★레이아웃 아키타입: 수직 타임라인 (전용 헬퍼)#

• spine_segment(nodes) — 수직 스파인(가는 사각) + 노드별 동심원(BG+era색 링 / era색 코어) + 연도(좌, 우측정렬 모노) + 노드명·아키텍처·노트(우). 노드 수에 따라 y 간격 자동 분배.
• kicker(시안 블록+모노), folio(페이지), native_chart(블루프린트 축/그리드), 블루프린트 그리드 PNG 배경. rail/dashboard/editorial 헬퍼 미재사용.
• era→색 매핑으로 트랜지스터 구조(평면/FinFET/GAA) 시각 구분. 8노드는 2슬라이드(4+4)로 분할해 가독 확보.

레이아웃 레시피 (6 슬라이드)#

1. 표지 — 블루프린트 그리드 + 거대 타이틀 + KPI 모노 스트립(14년/8노드/3회 구조전환).
2. 타임라인 FinFET기 — 스파인 4노드(2011 28nm~2018 7nm).
3. 타임라인 EUV→GAA — 스파인 4노드(2020 5nm~2027 1.4nm, 2nm 앰버).
4. 케이던스 — 노드 간격 막대(3→2 앰버) + 구조 전환 3회 노트 패널.
5. 플레이어 — TSMC(시안 강조)/삼성/인텔 카드.
6. 클로징 — 1.4nm 시안 블록 + 콜로폰.

실증한 PPT 요소#

• 블루프린트 그리드 배경(PIL 생성) full-bleed image + point_colors 막대 강조(앰버).
• 수직 타임라인을 도형(rect 스파인 + oval 동심원 노드) + 텍스트박스 조합으로 구성.
• 네이티브 차트 축/데이터라벨(다크 배경, #404 패리티 활용).

데이터 (2+ 출처 교차 · 전망 플래그)#

• 공정 노드 도입: 28nm(2011)·16nm FinFET(2015)·10nm(2017)·7nm N7(2018)·5nm N5(2020)·3nm N3(2022)·2nm N2 GAA(2025 4Q 양산)·1.4nm A14(2027 전망).
• 구조 전환 3회: Planar→FinFET(2015)·FinFET→EUV(2018~)·FinFET→GAA(2025).
• 플레이어: TSMC N2(선두)·삼성 SF2(GAA 최초 3nm 2022)·인텔 18A.
• ⚠️ 노드 명칭은 마케팅 네이밍 — 실제 피처 크기와 직접 비례하지 않음(업계 통념).
• 출처: TSMC 공식 기술 페이지·AnySilicon Node History·GSMArena.